韓國首爾2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司'，www.skhynix.com)今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*樣品，這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器DRAM產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達8Gbps，較之目前DDR5產(chǎn)品4.8Gbps提高了80%以上。
* DDR(Double Data Rate)是一種DRAM標準，主要應(yīng)用于服務(wù)器和客戶端，目前已經(jīng)發(fā)展至第五代。MCR DIMM是一種模塊產(chǎn)品，將多個DRAM組合在一塊主板上，能夠同時運行兩個內(nèi)存列。
*內(nèi)存列(RANK) ：從DRAM模塊向CPU傳輸數(shù)據(jù)的基本單位。一個內(nèi)存列通?？上駽PU傳送64字節(jié)(Byte)的數(shù)據(jù)。
該MCR DIMM產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高DDR5的傳輸速度。雖然普遍認為DDR5的運行速度取決于單個DRAM芯片的速度，但SK海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個DRAM芯片的速度。
SK海力士技術(shù)團隊在設(shè)計產(chǎn)品時，以英特爾MCR技術(shù)為基礎(chǔ)，利用安裝在MCR DIMM上的數(shù)據(jù)緩沖器(data buffer)*同時運行兩個內(nèi)存列。
*緩沖器(Buffer) ：安裝在內(nèi)存模塊上的組件，用于優(yōu)化DRAM與CPU之間的信號傳輸性能。主要安裝在對性能和可靠性要求較高的服務(wù)器模塊中
傳統(tǒng)DRAM模塊每次只能向CPU傳輸64個字節(jié)的數(shù)據(jù)，而在MCR DIMM模塊中，兩個內(nèi)存列同時運行可向CPU傳輸128個字節(jié)的數(shù)據(jù)。每次傳輸?shù)紺PU的數(shù)據(jù)量的增加使得數(shù)據(jù)傳輸速度提高到8Gbps以上，是單個DRAM的兩倍。
該產(chǎn)品的成功開發(fā)得益于與英特爾、瑞薩電子的合作。三家公司在從開發(fā)到速度和性能驗證的各個階段都進行了緊密的合作。
SK海力士DRAM產(chǎn)品策劃擔當副社長柳城洙認為這款產(chǎn)品的成功開發(fā)取決于不同技術(shù)的結(jié)合。柳城洙表示："SK海力士的DRAM模塊設(shè)計能力與英特爾卓越的Xeon處理器、瑞薩電子的緩沖器技術(shù)融為一體。為確保MCR DIMM的穩(wěn)定運行，模塊內(nèi)外數(shù)據(jù)緩沖器和處理器能夠順暢交互至關(guān)重要。"
數(shù)據(jù)緩沖器負責從中間的模塊傳輸多個信號，服務(wù)器CPU則負責接受和處理來自緩沖器的信號。
柳副社長還表示："開發(fā)出業(yè)界速度最快的MCR DIMM充分彰顯了SK海力士DDR5技術(shù)的又一長足進步。我們將繼續(xù)尋求突破技術(shù)壁壘，鞏固在服務(wù)器DRAM市場的領(lǐng)導地位。"
英特爾內(nèi)存和IO技術(shù)副總裁Dimitrios Ziakas博士表示，英特爾與SK海力士在內(nèi)存創(chuàng)新、針對服務(wù)器的高性能、可擴展的DDR5領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，在同一梯隊的還有其他一些主要的行業(yè)合作伙伴。
"此次采用的技術(shù)源于英特爾和關(guān)鍵業(yè)界合作伙伴多年的共同研究，極大提高了英特爾Xeon處理器可提供的帶寬。我們期待該技術(shù)能夠應(yīng)用到未來的英特爾Xeon處理器上，支持業(yè)界的標準化和多世代開發(fā)。"
瑞薩電子副總裁兼Memory Interface部門長Sameer Kuppahalli表示，該數(shù)據(jù)緩沖器從構(gòu)思到實現(xiàn)產(chǎn)品化歷經(jīng)三年，"對于能夠攜手SK海力士和英特爾將該技術(shù)轉(zhuǎn)化為優(yōu)秀的產(chǎn)品，我們深感自豪。"
SK海力士預計，在高性能計算對于內(nèi)存帶寬提升需求的驅(qū)動下， MCR DIMM的市場將會逐步打開，公司計劃在未來量產(chǎn)該產(chǎn)品。
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