SK海力士宣布開始量產超高速DRAM‘HBM2E’

首爾2020年7月2日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com/cha/main.do）宣布開始量產超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。

圖1. SK海力士宣布開始量產超高速DRAM, HBM2E

SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。

HBM2E擁有超高速、高容量、低能耗等特性，是適合深度學習加速器（deep learning accelerator）、高性能計算機等需要高度計算能力的新一代人工智能（AI）系統(tǒng)的存儲器解決方案。與此同時，HBM2E將適用于在未來主導氣候變化、生物醫(yī)學、宇宙探索等下一代基礎、應用科學領域研究的Exascale 超級計算機（能夠在一秒內執(zhí)行一百億億次計算的計算機）。

圖2. SK海力士成員慶祝HBM2E量產

吳鐘勛SK海力士副社長兼首席營銷官（Chief Marketing Officer, CMO）表示：“SK海力士通過開發(fā)世界第一款HBM（High Bandwidth Memory）等成果一直引領著有助于人類文明發(fā)展的新一代技術革新。公司將通過本次HBM2E量產強化高端存儲器市場上的地位，并倡導第四次工業(yè)革命?！?

注解

• HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內存）
  -相較傳統(tǒng)DRAM，借助TSV技術飛躍性地提升數(shù)據處理速度的高性能、高帶寬存儲器產品
• TSV（Through Silicon Via，硅通孔技術）
  - 在DRAM芯片打上數(shù)千個細微孔并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術
  - 該技術在緩沖芯片（buffer chip）上將數(shù)個DRAM芯片堆疊起來，并通過貫通所有芯片層的柱狀通道傳輸信號、指令、電流。
  - 相較傳統(tǒng)封裝方式，該技術能夠縮減30%體積，并降低50%能耗。
• 數(shù)據處理速度換算規(guī)則
  - 1GB = 8Gb
  - 以每個pin 3.6Gbps的速度通過1,024個數(shù)據I/Os進行運算 = 3686.4Gbps
  - 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb -> GB換算)
  

關于SK海力士

SK海力士總部位于韓國, 是一家全球領先的半導體供應商, 為全球客戶提供DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器), NAND Flash(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市, 其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多, 請點擊公司網站https://www.skhynix.com/cha/main.do, news.skhynix.com.cn。