北京2017年9月22日電 /美通社/ -- 9月19日，“英特爾精尖制造日”活動(dòng)在北京舉行，展現(xiàn)了英特爾全球領(lǐng)先的制程工藝創(chuàng)新力和領(lǐng)導(dǎo)力。這次活動(dòng)上，英特爾也披露了正在推進(jìn)的前沿技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目，從而以不斷的突破和創(chuàng)新，繼續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
英特爾表示，自己的前沿研究部門資助多家大學(xué)院校和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)，共同開展多種前沿研究課題，活動(dòng)上公布了這些課題的一些具體信息，內(nèi)容如下：
納米線晶體管被認(rèn)為是未來技術(shù)的一種選擇，因?yàn)榧{米線的結(jié)構(gòu)可提供改進(jìn)通道靜電，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)晶體管柵極長度的微縮。
硅是 MOSFET 通道中經(jīng)常使用的材料，但是 III-V 材料（如砷化鎵和磷化銦）改進(jìn)了載流子遷移率，從而提供更高的性能或者能夠在更低的電壓和更低的有功功耗下運(yùn)行晶體管。
硅晶片的 3D 堆疊有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成，以便把不同的技術(shù)混裝到一個(gè)很小的地方。
多種不同的高密度內(nèi)存選擇，其中包括易失性和非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，正在探索和開發(fā)中。
對于精尖制程技術(shù)來說，微縮互聯(lián)和微縮晶體管一樣重要。新的材料和圖案成形技術(shù)正在探索中，以支持高密度互聯(lián)。
極紫外（EUV）光刻技術(shù)采用13.5納米波長，由于當(dāng)今的193納米波長工具已達(dá)到其微縮極限，該技術(shù)正在研發(fā)中以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的微縮。
自旋電子是一種超越 CMOS 的技術(shù)，當(dāng) CMOS 無法再進(jìn)行微縮的時(shí)候，這是一種選擇，可提供非常密集和低功耗的電路。
神經(jīng)元計(jì)算是一種不同的處理器設(shè)計(jì)和架構(gòu)，能夠以比當(dāng)前計(jì)算機(jī)高得多的能效執(zhí)行某些計(jì)算功能。
過去15年來，英特爾在制程工藝方面推出的所有重要?jiǎng)?chuàng)新均得到行業(yè)的廣泛采納，而通過不斷的前沿探索和突破，英特爾將繼續(xù)傲然立于半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的潮頭。
