五款晶圓首秀，英特爾展現(xiàn)制程工藝領(lǐng)導(dǎo)力

北京2017年9月21日電 /美通社/ -- 在9月19日于北京舉行的英特爾精尖制造日上，英特爾在其展示區(qū)域和主題演講上展示了五款晶圓。這是英特爾首次公開展示這五款晶圓，彰顯了英特爾在制造領(lǐng)域取得的巨大進步。

這五款晶圓包括：英特爾10納米Cannonlake、英特爾10納米Arm測試芯片、英特爾22FFL、14納米展訊SC9861G-IA和14納米展訊SC9853I。

英特爾Cannonlake采用10納米制程工藝，不僅擁有全球最密集的晶體管和金屬間距，還采用了超微縮特性，這兩大優(yōu)勢保證了密度的領(lǐng)先性，比競爭友商的“10 納米”技術(shù)領(lǐng)先了整整一代，計劃于2017年下半年開始生產(chǎn)。超微縮可釋放出多模式方案的全部價值，使得英特爾得以繼續(xù)摩爾定律的經(jīng)濟效益。

英特爾10納米Cannonlake

英特爾與Arm在10nm的合作取得了長足進步。英特爾10nm CPU測試芯片流片具有先進的Arm CPU核， 使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計實現(xiàn)，電子設(shè)計自動化(EDA)  Place and Route工具和流程，性能高達3GHz以上。ARM同時正在開發(fā)高性能存儲器、邏輯單元和CPU POP套件，以進一步擴展下一代ARM CPU在英特爾10nm技術(shù)上的性能水平。

英特爾10納米Arm測試芯片

-   ARM Cortex A75: Intel 10nm 測試芯片

• 在12周內(nèi)從RTL 至首次Tape Out
• 標(biāo)準(zhǔn)英特爾10nm工藝
• 最新的軟件測試結(jié)果 > 3.3GHz
• 250uW/MHz

英特爾22FFL（FinFET 低功耗）平臺旨在推動FinFET的大規(guī)模應(yīng)用。它具備：

英特爾 22FFL

卓越集成能力

• 一流的 CPU 性能，主頻超過 2 GHz
• 超低功耗，漏電率降低 100 倍
• 22 納米+ 制程，每平方毫米 1,780 萬個晶體管
• 全面的 RF 設(shè)計支持

快速上市速度

• 行業(yè)最易使用的FinFET 制程
• 成熟生產(chǎn)平臺，具備業(yè)經(jīng)驗證的22/14 納米特性
• 經(jīng)過芯片驗證的移動/物聯(lián)網(wǎng) IP 組合
• Arm 庫和 POP 套件
• 英特爾架構(gòu)處理器 IP 套件
• 交鑰匙代工服務(wù)與支持

Cost-effective的設(shè)計

• 與業(yè)界28納米的平面(planar)工藝相比在成本上極具競爭力
• 單模式互聯(lián)和寬泛的 DFM 規(guī)則
• 無復(fù)雜的襯底偏壓要求

理想應(yīng)用

• 入門級/經(jīng)濟型智能手機
• 車載
• 可穿戴設(shè)備

展訊的 SC9861G-IA 和 SC9853I 移動 AP 均使用英特爾的 14 納米低功耗平臺制造而成，這兩款移動 AP 分別于 2017 年 3 月和 8 月推出，同時還使用了英特爾 Airmont CPU 架構(gòu)。

14納米展訊 SC9853I

14納米展訊 SC9861G-IA

英特爾的 14 納米平臺適用于制造需要高性能和低漏電功耗的產(chǎn)品

• 第二代 FinFET 技術(shù)
• 行業(yè)領(lǐng)先的 PPA，每平方毫米 3,750 萬個晶體管
• 一流的 CPU 性能，主頻超過 2.5 GHz

快速上市速度

• 業(yè)經(jīng)驗證的 14 納米 HVM（大規(guī)模量產(chǎn)） 技術(shù)
• 經(jīng)過芯片驗證的移動/網(wǎng)絡(luò) IP 組合
• 交鑰匙代工服務(wù)與支持

兩個平臺滿足您的全部產(chǎn)品需求

• 通用 (GP)
• 低功耗 (LP)

理想應(yīng)用

• 主流移動
• 數(shù)據(jù)中心