深圳2020年11月23日 /美通社/ -- 江波龍電子嵌入式存儲品牌FORESEE推出了3款國產(chǎn)化內(nèi)存，分別為DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB，核心DRAM均采用長鑫存儲的顆粒，這標(biāo)志著中國存儲在質(zhì)量上開始參與市場競爭。
質(zhì)量創(chuàng)新｜FORESEE推出DDR4國產(chǎn)化內(nèi)存
隨著全球存儲行業(yè)的高速發(fā)展，市場上的內(nèi)存層出不窮。那FORESEE國產(chǎn)化內(nèi)存與市場標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存有何差異？江波龍電子在質(zhì)量創(chuàng)新上又做了哪些舉措？下面將為大家一一揭曉。
從“芯”突破 國產(chǎn)化內(nèi)存的品質(zhì)之路
FORESEE國產(chǎn)化內(nèi)存的核心DRAM率先采用長鑫存儲的10nm級最新版本8Gb顆粒，該顆粒已通過江波龍電子EVT完整的顆粒級測試。
在主頻方面，F(xiàn)ORESEE國產(chǎn)化內(nèi)存的頻率為2666MHz，綜合對比已達(dá)到國際一線水平。在設(shè)計架構(gòu)上，均采用8Gb顆粒，速度和穩(wěn)定性均有了很大的提升。
FORESEE國產(chǎn)化內(nèi)存條產(chǎn)品參數(shù)
2019年9月，長鑫存儲發(fā)布與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級第一代8Gb DDR4。目前，長鑫存儲正使用其 10G1 技術(shù)來制造8Gb DDR4 存儲器芯片，經(jīng)過多次迭代和優(yōu)化，其工藝已進(jìn)入國際化主流水平，其技術(shù)突破和自主制造已達(dá)到行業(yè)一流。
不斷完善測試流程 打造高質(zhì)量產(chǎn)品
江波龍電子具備完整的測試認(rèn)證試驗流程和實驗室環(huán)境，提供材料科學(xué)實驗室、可靠性實驗室、靜電實驗室三大實驗室支持，可完整開展失效模式分析、可靠性分析和材料分析，并自制了一套全面的DVT驗證項目流程和可靠性認(rèn)證流程，得到業(yè)內(nèi)廣泛認(rèn)可。
江波龍測試項目
不同于行業(yè)常規(guī)的Advantest和PC測試，江波龍電子創(chuàng)新采用基于10nm ASIC的自主開發(fā)測試系統(tǒng)，提供最佳的顆粒Margin和耐受度測試方案。
整合優(yōu)質(zhì)的供應(yīng)鏈資源 為產(chǎn)品保駕護航
從原材料供應(yīng)到生產(chǎn)制造，皆為本土企業(yè)在國內(nèi)完成，這得益于中國存儲日益強大的產(chǎn)業(yè)鏈能力。
FORESEE國產(chǎn)化內(nèi)存的PCB基板基于JEDEC R/C標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行設(shè)計規(guī)范，并已經(jīng)過市場各方面應(yīng)用NPO。
除此之外，生產(chǎn)制造由國內(nèi)知名MES企業(yè)完成，通過完善的自動化體系和精益化生產(chǎn)管理，實現(xiàn)產(chǎn)品的高質(zhì)量輸出，把守產(chǎn)品的質(zhì)量底線。
真實數(shù)據(jù) 展示硬核性能
FORESEE新推出的國產(chǎn)化內(nèi)存已通過一系列兼容性測試，在單通、雙通、四通滿載Loading上都保持100%的測試通過率，在穩(wěn)定性上的表現(xiàn)非常優(yōu)異。
目前也通過了國際主流方案的Intel Z390、Intel H310、AMD B450 、AMD X570和國產(chǎn)方案的飛騰FT2000/4、鯤鵬920這些測試平臺，取得了不錯的成績。
江波龍電子一直堅持品牌、質(zhì)量、合規(guī)、價值的經(jīng)營理念，領(lǐng)先向全球用戶發(fā)布高品質(zhì)、高性能的存儲產(chǎn)品，不斷超越用戶對存儲產(chǎn)品的期望值。
