宜普電源轉換公司（EPC）推出全新集成電路(IC)系列的首個產(chǎn)品，為高功率密度應用諸如DC/DC轉換、電機驅動及D類放大器，提供更高性能及更小型化的解決方案。80 V、12.5 A功率級集成電路的尺寸為3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米。
北京2020年3月20日 /美通社/ -- 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A 的功率級集成電路，專為48 V DC/DC轉換而設計，用于具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。
EPC2152是一個單芯片驅動器并配以基于氮化鎵場效應晶體管（eGaN® FET）、采用 EPC 專有的氮化鎵集成電路技術的半橋功率級。在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉換電路、自舉充電電路、柵極驅動器的緩沖電路及配置為半橋器件的輸出氮化鎵場效應晶體管，從而實現(xiàn)芯片級 LGA 封裝及細小的外形尺寸（3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米）。
當48 V 轉到12 V 的降壓轉換器在1 MHz 的開關頻率下工作，EPC2152 ePower 功率級集成電路可實現(xiàn)高于96% 的峰值效率，相比采用多個分立器件的解決方案，這個集成電路在 PCB 的占板面積少33%。其峰值效率比分立式 MOSFET 或基于單片 MOSFET 集成電路的功率級優(yōu)勝很多。
EPC2152 是該系列的首個產(chǎn)品。該系列在未來會進一步推出采用芯片級封裝（CSP）及多芯片四方偏平模塊（QFM）的功率級 IC。在未來一年內將推出可在高達3至5 MHz 頻率范圍工作、每級功率級的電流可高達15 A 至30 A 的產(chǎn)品。
該產(chǎn)品系列使得設計師可以容易發(fā)揮氮化鎵技術的性能優(yōu)勢。集成多個器件在單芯片上，設計師可以更容易設計、布局、組裝、節(jié)省占板面積及提高效率。
宜普電源轉換公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人 Alex Lidow 說：“分立式功率晶體管正在進入它的最后發(fā)展階段。硅基氮化鎵集成電路可以實現(xiàn)更高的性能、占板面積更小，省卻很多所需工程?！?nbsp;Alex 繼續(xù)說：“這個全新功率級集成電路系列是氮化鎵功率轉換領域的最新發(fā)展里程，從集成多個分立式器件，以至集成更復雜的解決方案都可以，從而實現(xiàn)硅基解決方案所不能實現(xiàn)的電路性能、使得功率系統(tǒng)工程師可以更容易設計出高效的功率系統(tǒng)?！?/p>
EPC90120是一塊半橋開發(fā)板，其最高器件電壓是80 V、最高輸出電流為12. 5 A，內含 ePower? 功率級集成電路（EPC2152）。該板的尺寸為兩英寸乘兩英寸（50.8 毫米乘50.8 毫米），可實現(xiàn)最優(yōu)開關性能。開發(fā)板包含所有重要元件，讓工程師容易對 EPC2152 進行評估。
ePower 功率級集成電路（EPC2152）及其開發(fā)板 EPC90120 可以立即從 Digikey 公司購買（http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en ）。
宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供貨商，為首家公司推出替代功率 MOSFET 器件的硅基增強型氮化鎵（eGaN ）場效應晶體管及集成電路之一，其目標應用包括直流- 直流轉換器、 無線電源傳送、 包絡跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴大基于 eGaN IC 的產(chǎn)品系列，為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。詳情請訪問宜普的網(wǎng)站，網(wǎng)址為 www.epc-co.com.cn。eGaN® 是 Efficient Power Conversion Corporation 宜普電源轉換公司的注冊商標。
