納芯微推出國內(nèi)首款集成隔離DC/DC電源的數(shù)字隔離芯片

蘇州2019年9月29日 /美通社/ -- 國內(nèi)領(lǐng)先的信號鏈芯片及其解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱“納芯微電子”）今日宣布推出國內(nèi)首款集成了隔離DC/DC電源的數(shù)字隔離芯片 NSiP884x?；诩{芯微電子獨(dú)有的TFPower^TM技術(shù)，NSiP884x 系列產(chǎn)品將內(nèi)置有片上變壓器的隔離DC/DC電源電路以及四通道高速數(shù)字隔離集成在一起，用戶只需在電源輸入輸出上各加兩個濾波電容就能實(shí)現(xiàn)電源隔離和信號隔離，全集成式的方案極大程度地降低了用戶的開發(fā)難度，節(jié)省了用戶開發(fā)時間，可幫助用戶更快地將產(chǎn)品推向市場。

納芯微推出國內(nèi)首款集成隔離DC/DC電源的數(shù)字隔離芯片NSiP884x

納芯微電子于2017年推出標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離芯片產(chǎn)品，現(xiàn)已獲得國內(nèi)外眾多大客戶的認(rèn)可，包括兩/三/四通道標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離芯片、雙向I²C數(shù)字隔離芯片、隔離 RS-485 收發(fā)器等在內(nèi)的產(chǎn)品均已批量出貨。此次推出的 NSiP884x 系列產(chǎn)品從根本上解決了隔離電源的設(shè)計難點(diǎn)，用戶不必再為如何選取高可靠性、參數(shù)合適的變壓器而煩惱，高集成度的特性使得 NSiP884x 尤其適用于體積受限的應(yīng)用場合。NSiP884x 系列產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)的 SOIC16 傳統(tǒng)封裝，制造全程穩(wěn)定可控，出廠時經(jīng)過了嚴(yán)格的耐高壓測試和性能參數(shù)測試，產(chǎn)品具有一致性高，可靠性高的特點(diǎn)，適用于對可靠性要求極高的車載應(yīng)用環(huán)境。

NSiP884x內(nèi)部功能示意圖

在解決電源隔離和信號隔離的難題時，比較常見的應(yīng)用方案是將隔離電源模塊搭配數(shù)字隔離芯片或光耦，或是通過外加變壓器搭建隔離電源的方案來解決上述問題，但隔離電源模塊存在如下一些缺點(diǎn)：

• 器件體積較大、高度較高，應(yīng)用場合受限
• 不易實(shí)現(xiàn)高耐壓，特別是加強(qiáng)絕緣
• 無數(shù)字隔離通道
• 可靠性較低
• 成本較高

在解決電源隔離和信號隔離的難題時通常采用隔離電源模塊的方案

相較于上述方案，NSiP884x 實(shí)現(xiàn)了單顆芯片同時解決電源隔離和信號隔離的雙重難題，使用操作更加簡單，并且不需要設(shè)計復(fù)雜的隔離電源電路。

NSiP884x 性能特點(diǎn)

• 內(nèi)部集成電源和信號隔離，集成度高，易用性強(qiáng)
• 輸出負(fù)載能力大于100mA
• 高隔離耐壓 >5kVrms
• 工作效率達(dá)到48%
• 工作溫度范圍：-40攝氏度~125攝氏度
• 寬輸入輸出范圍：支持3.3-5.5V input
• 高抗EMC性能：超過10kV的系統(tǒng)ESD能力，超過10kV的浪涌能力
• 低EMI性能：滿載輸出，通過簡單PCB設(shè)計，滿足CISPR 32 CLASS B的要求
• 具有過溫保護(hù)和輸出短路保護(hù)
• 具有softstart功能
• 支持電源電壓和數(shù)字隔離邏輯電平分開
• 支持電源輸出不使能，低功耗模式

NSiP884x 采用 SOIC16WB 封裝形式，可與市場上主流的同類產(chǎn)品 pin to pin 兼容。NSiP884x 的電源工作效率為48%，比同類產(chǎn)品高出15%，工作溫升值為68.5攝氏度，支持 softstart 電源特性，低EMI的特性使其更適用于對可靠性有要求的應(yīng)用環(huán)境。

NSiP884x的工作溫升值為68.5攝氏度，同類產(chǎn)品的工作溫升值為164.3攝氏度

NSiP884x 系列產(chǎn)品具有優(yōu)異的性能，并兼具有極高的性價比。