北京2015年3月20日電 /美通社/ -- 近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A 集成氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)原型機(jī)。此次原型機(jī)由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計(jì)。如需了解更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問 http://www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的 LMG5200 GaN FET功率級(jí)原型機(jī)將有助于加快下一代 GaN 電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。
TI高壓電源解決方案業(yè)務(wù)部副總裁 Steve Lambouses 表示：“過去基于 GaN 的電源設(shè)計(jì)面對(duì)的一大挑戰(zhàn)是與驅(qū)動(dòng) GaN FET 有關(guān)的不確定性，以及由封裝方式和設(shè)計(jì)布局布線所導(dǎo)致的寄生效應(yīng)。我們將采用先進(jìn)、易于設(shè)計(jì)封裝的經(jīng)優(yōu)化集成模塊、驅(qū)動(dòng)器和高頻控制器，組成的完整、可靠電源轉(zhuǎn)換生態(tài)系統(tǒng)，從而使設(shè)計(jì)人員可以充分實(shí)現(xiàn) GaN 技術(shù)在電源應(yīng)用方面的全部潛能?！?/p>
實(shí)現(xiàn)GaN的優(yōu)勢(shì)
通常情況下，使用 GaN FET 在高頻下進(jìn)行開關(guān)的設(shè)計(jì)人員必須謹(jǐn)慎對(duì)待電路板布局布線，以避免振鈴和電磁干擾 (EMI)。TI 的 LMG5200雙80V 功率級(jí)原型機(jī)極大地簡化了這個(gè)問題，同時(shí)又通過減少關(guān)鍵柵極驅(qū)動(dòng)回路中的封裝寄生電感增加了功率級(jí)效率。LMG5200的特色就在于運(yùn)用了高級(jí)多芯片封裝技術(shù)，在優(yōu)化后還能夠支持頻率高達(dá)5MHz 的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
易于使用的6mmx8mm QFN 封裝無需底部填充，從而大大簡化了生產(chǎn)制造過程。封裝尺寸的減少進(jìn)一步提升了GaN 技術(shù)的應(yīng)用價(jià)值，并且有助于擴(kuò)充 GaN 電源設(shè)計(jì)的用途，包括從高頻無線充電應(yīng)用到48V電信和工業(yè)設(shè)計(jì)的許多全新應(yīng)用。如需了解與TI完整 GaN 解決方案相關(guān)的更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問http://www.ti.com.cn/lsds/ti_zh/power-management/gate-driver-products.page。
LMG5200的關(guān)鍵特性和優(yōu)勢(shì)：
工具和軟件
除了訂購已上市的 LMG5200評(píng)估模塊 (EVM)，設(shè)計(jì)人員使用針對(duì)LMG5200的 PSpice 和 TINA-TI 模塊來仿真這項(xiàng)技術(shù)的性能和開關(guān)頻率優(yōu)勢(shì)，以便更快地開始設(shè)計(jì)工作。
供貨情況
目前可在 TIStore 中購買 GaN 功率級(jí)的原型機(jī)樣片。
其他資源：
