SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。
238層NAND閃存成功堆棧更高層數(shù)的同時，實現(xiàn)了業(yè)界最小的面積。新產(chǎn)品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產(chǎn)出更多的芯片，因此相比176層NAND閃存其生產(chǎn)效率也提高了34%。此外，238層NAND閃存的數(shù)據(jù)傳輸速度為2.4Gbps，相比前一代產(chǎn)品提高了50%，芯片讀取數(shù)據(jù)時的能源消耗也減少了21%。SK海力士計劃先為cSSD（client SSD，主要應(yīng)用范圍為PC用存儲設(shè)備）供應(yīng)238層NAND閃存，隨后將其導(dǎo)入范圍逐漸延伸至智能手機和高容量的服務(wù)器SSD等。公司還將于明年發(fā)布1Tb 密度的全新238層NAND閃存產(chǎn)品，其密度是現(xiàn)有產(chǎn)品的兩倍。（美通社,2022年8月3日韓國首爾）
