英飛凌科技公司(Infineon Technologies AG)正在通過在寬帶隙(SiC和GaN)半導(dǎo)體領(lǐng)域增加重要的生產(chǎn)能力,以加強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場領(lǐng)先地位。公司投資超過20億歐元,在其位于馬來西亞居林的工廠建造第三個(gè)模塊。建造完成后,新模塊將以碳化硅和氮化鎵為基礎(chǔ)的產(chǎn)品創(chuàng)造20億歐元的額外年收入。施工將于6月開始,第一批晶圓將在2024年下半年下線。根據(jù)公司的長期制造戰(zhàn)略,此次擴(kuò)建將受益于居林200毫米制造廠已經(jīng)取得的良好規(guī)模經(jīng)濟(jì)。它將補(bǔ)充英飛凌在奧地利維拉赫和德國德累斯頓的300毫米生產(chǎn)基地在硅方面的領(lǐng)先地位。(美通社,2022年2月17日德國慕尼黑和馬來西亞居林)