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科林研發(fā)公司推出選擇性蝕刻產(chǎn)品系列,加速晶片制造商3D技術(shù)發(fā)展 | 美通社

2022-02-10 15:32

提供獨(dú)特的多層選擇性蝕刻、改善佇列時(shí)間控制,並最大化生產(chǎn)靈活性。

科林研發(fā)公司(Lam Research Corp.)宣布推出全新選擇性蝕刻產(chǎn)品系列,這些產(chǎn)品應(yīng)用開(kāi)創(chuàng)性晶圓制造技術(shù)與新興的化學(xué)方法,以支援晶片制造商開(kāi)發(fā)環(huán)繞式閘極(GAA)電晶體結(jié)構(gòu)。 Lam 的選擇性蝕刻解決方案是由三款新產(chǎn)品——Argos、Prevos 及 Selis所組成,可為設(shè)計(jì)與制造先進(jìn)邏輯和記憶體半導(dǎo)體提供強(qiáng)大優(yōu)勢(shì)。

Lam 的選擇性蝕刻解決方案提供超高可調(diào)控選擇性與材料無(wú)損去除,使晶片制造商在先進(jìn)邏輯奈米層片或奈米線(xiàn)應(yīng)用,以及DRAM 面臨平面微縮極限時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)從平面到 3D 結(jié)構(gòu)的下一步技術(shù)躍升。

透過(guò)與世界上最具創(chuàng)新性的邏輯與晶圓代工廠合作開(kāi)發(fā),Lam 的選擇性蝕刻產(chǎn)品已被三星電子等業(yè)界領(lǐng)先的晶圓制造商所采用,以支援先進(jìn)邏輯晶圓開(kāi)發(fā)制程中的十多項(xiàng)關(guān)鍵步驟。(美通社,2022年2月10日加州佛利蒙市)