SK海力士宣布業(yè)界首次成功開(kāi)發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。 HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技術(shù)*，由多個(gè)垂直連接的DRAM芯片組合而成，是一種高價(jià)值產(chǎn)品，創(chuàng)新性地提高了數(shù)據(jù)處理速度。SK海力士去年7月在業(yè)界首次開(kāi)始批量生產(chǎn)HBM2E* DRAM后，時(shí)隔僅1年零3個(gè)月開(kāi)發(fā)了HBM3，鞏固了該市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)。
SK海力士強(qiáng)調(diào)，“通過(guò)此次HBM3，不僅實(shí)現(xiàn)了目前為止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，還大幅提高了質(zhì)量水平。”
SK海力士研發(fā)的HBM3能夠每秒處理819GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸 163部全高清(Full-HD)電影(每部5GB)。與上一代HBM2E相比，速度提高了約78%。
與此同時(shí)，該產(chǎn)品還內(nèi)置了ECC校檢(On Die-Error Correction Code)。HBM3通過(guò)該內(nèi)置型ECC校檢可以自身修復(fù)DRAM單元(cell)的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤，因此產(chǎn)品的可靠性也大幅提高。
此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。特別是24GB是業(yè)界最大的容量。為了實(shí)現(xiàn)24GB，SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米(μm, 10-6m)，相當(dāng)于A(yíng)4紙厚度的1/3，然后使用TSV技術(shù)垂直連接12個(gè)芯片。（美通社，2021年10月20日韓國(guó)首爾）
