三星宣布已開始量產(chǎn)基于極紫外光（EUV）技術(shù)的14納米（nm）DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后，又將EUV層數(shù)增加至5層，為其DDR5解決方案提供當(dāng)下更為優(yōu)質(zhì)、先進(jìn)的DRAM工藝。
隨著DRAM工藝不斷縮小至10納米范圍，EUV技術(shù)變得越來越重要，因為它能提升圖案準(zhǔn)確性，從而獲得更高性能和更大產(chǎn)量。通過在14納米DRAM中應(yīng)用5個EUV層，三星實現(xiàn)了自身最高的單位容量，同時，整體晶圓生產(chǎn)率提升了約20%。此外，與上一代DRAM工藝相比，14納米工藝可幫助降低近20%的功耗。
根據(jù)最新DDR5標(biāo)準(zhǔn)，三星的14納米DRAM將有助于釋放出之前產(chǎn)品所未有的速度：高達(dá)7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。
三星計劃擴展其14納米DDR5產(chǎn)品組合，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、超級計算機和企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用。另外，三星預(yù)計將其14納米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好滿足全球IT系統(tǒng)快速增長的數(shù)據(jù)需求。（美通社,2021年10月12日韓國首爾）
