三星宣布開(kāi)發(fā)新一代“8納米射頻（RF）工藝技術(shù)”，強(qiáng)化5G通信芯片的解決方案。
這種先進(jìn)的制造技術(shù)支持5G通信的多通道和多天線芯片設(shè)計(jì)，有望為5G通信提供“單芯片的解決方案（One Chip Solution）”。三星的8nm RF平臺(tái)擴(kuò)展計(jì)劃，能夠增強(qiáng)從Sub-6GHz到毫米波（mmWave）應(yīng)用的5G半導(dǎo)體代工市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。
三星8nm RF是從已有28nm，14nm RF代工解決方案拓展的新一代工藝技術(shù)。自2017年至今，三星以高端智能手機(jī)為主，已生產(chǎn)了超過(guò)5億顆的RF 芯片，在RF芯片代工市場(chǎng)建立了主導(dǎo)地位。
RF芯片把接受的射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換數(shù)字信號(hào)用于數(shù)字處理，把處理后的數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為射頻信號(hào)用于發(fā)射。RF工藝技術(shù)中，模擬/RF器件性能和數(shù)字器件性能都非常重要。
隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的縮微，數(shù)字電路在性能,功耗和面積上都有顯著改善，然而模擬/RF 模塊由于寄生特性難以縮微。由于線寬較窄，導(dǎo)致電阻增加，RF信號(hào)放大性能減弱，功耗增加，RF芯片整體性能下降。
為了克服模擬/RF電路在工藝縮微時(shí)的技術(shù)挑戰(zhàn)，三星開(kāi)發(fā)了一種名為“RFeFET（RF extremeFET）”的獨(dú)特RF器件結(jié)構(gòu)，新的結(jié)構(gòu)只在8nm RF平臺(tái)上提供，新的RF器件使用小的功率就能提升RF性能。與此前的14nm工藝相比，三星“RFeFET（RF extremeFET）”可以幫忙數(shù)字電路的縮微，同時(shí)提升模擬/RF性能，提供高性能的5G技術(shù)平臺(tái)。
工藝優(yōu)化包括電子遷移率增大化和寄生特性最小化。由于RFeFET的性能的提升，射頻芯片中晶體管的總數(shù)可以減少，模擬電路的面積可以減少。
由于三星“RFeFET（RF extremeFET）”的創(chuàng)新，與此前的14nm工藝相比，三星的8nm RF工藝可減少約35%的射頻芯片面積，且能效也有約35%的提升。（美通社,2021年6月9日首爾）
